陶加华: 一维硒化锑薄膜的取向生长与缺陷钝化机制-j9九游会

报告时间：2025年8月15日（星期五）15:30

报告地点：翡翠湖校区科教楼b座4楼会议室

报 告 人：陶加华 副教授、博导

工作单位：华东师范大学

举办单位：微电子学院

报告简介：

一维硒化锑（sb2se3）薄膜因其优异的光学和电子特性，如高光吸收系数、窄带隙以及稳定的晶体结构，逐渐成为下一代光伏技术的研究重点。在当前的制备方法中，气相输运沉积技术因其能实现薄膜均匀沉积和适应大规模工业生产的优势而备受青睐。然而，提高电池光电转换效率的核心问题在于如何精确控制薄膜的晶体取向与界面缺陷钝化，从而优化载流子迁移路径并减少复合损失。本报告将回顾气相输运技术在sb2se3薄膜制备中的应用现状，分析薄膜生长的取向机制与缺陷钝化的物理过程，探讨晶界和界面对载流子动力学的影响，并提出提升器件性能的技术路径。

报告人简介：

陶加华，华东师范大学副教授，博士生导师，研究方向聚焦于薄膜太阳能电池器件领域。以第一/通讯作者在 light sci. appl.、energy environ. sci.、adv. energy mater.、adv. funct. mater. 等期刊上发表sci论文30余篇，总引用次数超过3000次。同时，撰写英文专著3章，申请专利12项。其科研成果获上海市科技进步二等奖和中国光学学会光学科技一等奖。目前主持国家自然科学基金、上海市自然科学基金及多个企业横向项目共计10项，在推动太阳能电池技术创新与产业化应用方面提供部分j9九游会的解决方案。